功率半导体封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202110289690.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113067472A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113067472A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | H02M1/44;H02M1/00 | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 蔡超峰 | 申请（专利权）人 | 苏州悉智科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 许冬莹 |
| 地址 | 215024 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢综合楼214室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种功率半导体封装结构，包括基板、通过连接材料连接至基板上且形成回路的第一半导体功率芯片模块、第二半导体功率芯片模块及钳位电容；第一半导体功率芯片模块包括第一功率芯片，基板上设置有电源接地端和通讯接地端，第一功率芯片的源极分别与电源接地端和通讯接地端连接。通过将第一功率芯片的源极直接与基板上的通讯地连接，避免了多重回路的增加；同时，由于第一功率芯片的源极回路的减小，有效降低电路电磁干扰的风险，同时还降低了第一功率芯片在开通与关断过程中的电压尖峰。 |
