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一种多结太阳能电池及制造方法

基本信息

申请号 CN202110849429.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113594286A 公开（公告）日 2021-11-02
申请公布号 CN113594286A 申请公布日 2021-11-02
分类号 H01L31/0725（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0735（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李俊承;白继锋;徐培强;潘彬;王向武;熊珊 申请（专利权）人 南昌凯捷半导体科技有限公司
代理机构 南昌金轩知识产权代理有限公司 代理人 夏军
地址 330000江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法，包括：Ge基板，作为基电池；GaAs光栅结构，设置于Ge基板的一端，是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层，覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池，设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池，设置于InGaAs中电池另一端；电极，设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜，覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面，且覆盖着电极之外的区域；其中，InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接，以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。