一种反极性LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN202120571149.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214625085U | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN214625085U | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01L33/62（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王克来;徐培强;熊珊;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南昌金轩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 330000江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种LED芯片，尤其涉及一种反极性LED芯片。一种反极性LED芯片，自下而上依次是P面电极、硅衬底、键合层、P‑高反射膜层、P‑GaP层、P‑AlInP层、MQW有源层、N‑AlInP层、N‑AlGaInP层、N‑GaAs层和N面电极，反极性LED芯片具有第一键合区和第二键合区，通过双键合区共键合技术实现衬底转移，不需要在SiO2介质膜上制作精度要求如此之高的孔洞，极大的简化了制作流程，降低了制作难度，保证了产品的稳定性。双键合区共键合技术在进行衬底转移时不需要用到贵金属‑金，降低了LED芯片的制作成本。 |
