一种应用大马士革工艺的mini/microLED芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111575134.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113948618A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN113948618A | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李俊承;赵敏博;谈凯强;刘苏杰;王克来;白继锋;熊珊;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南昌金轩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 石英 |
| 地址 | 330000江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种应用大马士革工艺的mini/micro LED芯片及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：沉积第一钝化层、抛光、沉积SiNx腐蚀阻挡层、沉积第二钝化层、蚀刻焊线电极图形、焊盘电极制作、抛光表面电极、蓝宝石减薄、最后抛光、隐形切割、劈裂，完成芯片制作。本发明采用大马士革方法制作mini/micro LED的焊盘锡电极，无需进行金属层的蚀刻，可制作厚电极，图形精度高，同时可避免使用负胶剥离或在封装端刷锡膏，提高工艺的稳定性；采用磁控溅射种子层和电镀相结合的方式，可避免使用金属蒸镀机，不存在污染蒸镀机与维护的问题，制作成本低。 |
