一种多电流通道倒装AlGaInPmini-LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110905454.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113363365B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN113363365B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01L33/38（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王克来;徐培强;熊珊;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南昌金轩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 夏军 |
| 地址 | 330000江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体LED技术领域，具体涉及一种多电流通道倒装AlGaInP mini‑LED芯片及其制备方法。一种多电流通道倒装AlGaInP mini‑LED芯片，包括衬底、依次设置于所述衬底一侧的键合层、P型半导体层、量子阱层、N型半导体层、第一介质层、第二介质层和第三介质层；所述第三介质层远离所述衬底一侧表面设置有P电极和N电极以及第一电流通道和第二电流通道。第一电流通道和第二电流通道之间通过介质层隔离，可以有效的防止芯片短路。导电通孔的设计可以减少发光面积的损失，提高芯片的发光亮度。 |
