半导体器件、射频芯片和制造方法

基本信息

申请号 CN201811112070.0 申请日 -
公开(公告)号 CN109285815B 公开(公告)日 2020-07-17
申请公布号 CN109285815B 申请公布日 2020-07-17
分类号 H01L23/31;H01L21/56;H01L23/538 分类 基本电气元件;
发明人 于涛;陈高鹏;陈威;刘海玲 申请(专利权)人 宜确半导体(苏州)有限公司
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李浩;王莉莉
地址 201600 上海市松江区九亭镇九亭中心路1158号21幢1603、1604室
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种半导体器件、射频芯片和制造方法,涉及半导体技术领域。该半导体器件包括具有第一声波器件的第一衬底。在第一衬底上设置有间隔开的第一连接件和第二连接件。该第一连接件和该第二连接件分别与第一声波器件电连接。该半导体器件还包括具有第二声波器件的第二衬底。在第二衬底上设置有间隔开的第三连接件和第四连接件。该第三连接件与该第一连接件对接,该第四连接件与该第二连接件对接。该半导体器件还包括在第一衬底与第二衬底之间的环状件。该环状件、第一衬底和第二衬底形成有腔体。该腔体位于第一声波器件和第二声波器件之间。本公开可以减小器件的面积。