半导体器件、射频电路装置和制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910007080.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111416592A | 公开（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申请公布号 | CN111416592A | 申请公布日 | 2020-07-14 |
| 分类号 | H03H9/10(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 王晔晔;陈威;刘海玲;陈高鹏;于涛 | 申请（专利权）人 | 宜确半导体（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 宜确半导体（苏州）有限公司 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了一种半导体器件、射频电路装置和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件可以包括：衬底，该衬底包括用于声波器件的组件；在该衬底上的多个连接件，该多个连接件分别与该组件连接；在该衬底上的环状件，其中，该多个连接件在该环状件所围成区域的外部；以及在该环状件上的盖件，其中，该盖件、该衬底和该环状件形成用于该声波器件的腔体。该半导体器件的体积较小，并且便于与其他功能器件集成。 |
