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一种氮氧化物传感器陶瓷芯片

基本信息

申请号	CN201810622527.6	申请日	-
公开（公告）号	CN109001284B	公开（公告）日	2018-12-14
申请公布号	CN109001284B	申请公布日	2018-12-14
分类号	G01N27/41(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	孙卫龙;万筱怡;贺立龙;杨睿;武巧莉;洪向东	申请（专利权）人	西安创联电气科技（集团）有限责任公司
代理机构	西安永生专利代理有限责任公司	代理人	西安创联电气科技（集团）有限责任公司
地址	710065陕西省西安市高新区电子工业园电子西街3号
法律状态	-

摘要

一种氮氧化物传感器陶瓷芯片，第一层膜片上设表面覆盖保护层的氧泵正极，氧泵正极和第一层膜片上设有采集腔，第二层膜片上设第二通孔～第四通孔，第二通孔内设第一扩散障，第一扩散障将第二通孔分成第一测量室和缓冲腔，第一测量室内设主氧泵负极，第二通孔与第三通孔间设第二扩散障，第三通孔为第二测量室内设辅助泵负极，第三通孔与第四通孔间设第三扩散障，第四通孔为第三测量室内设表面覆盖保护层的测量电极，第三层膜片上设有参比通道，参比通道内设表面覆盖保护层的参比电极，第四层膜片与第五层膜片之间设包裹在加热电极绝缘层内的加热电极，加热电极外引线穿过第五层膜片位于第五层膜片下表面，第五层膜片设有填充加热电极绝缘层浆料的应力释放孔。