多晶硅铸锭设备

基本信息

申请号 CN201922485452.4 申请日 -
公开(公告)号 CN211734535U 公开(公告)日 2020-10-23
申请公布号 CN211734535U 申请公布日 2020-10-23
分类号 C30B35/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 周华;孔令珂;陶能松;黄福龙;张学日;吴纯 申请(专利权)人 江西中材新材料有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 江西中材新材料有限公司;中材江苏太阳能新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司
地址 344000江西省新余市高新开发区赛维大道1859号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型实施方式提供一种多晶硅铸锭设备。所述多晶硅铸锭设备包括坩埚、光源、及光线检测装置。所述坩埚具有收容腔,所述坩埚在所述收容腔的内壁上附设有氮化硅涂层。所述光源及所述光线检测装置分别设置于收容腔的内侧和外侧,或者分别设置于外侧和内侧。所述光源朝所述氮化硅涂层发射初始光线,所述初始光线经过所述氮化硅涂层后形成检测光线,所述检测光线传导至所述光线检测装置。所述光线检测装置接收检测光线,并根据所述检测光线判断所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度。所述多晶硅铸锭设备及多晶硅铸锭方法检测氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的精准度更高。