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SOI全硅结构充硅油耐高温压力传感器

基本信息

申请号 CN200810017298.1 申请日 -
公开（公告）号 CN101226092A 公开（公告）日 2008-07-23
申请公布号 CN101226092A 申请公布日 2008-07-23
分类号 G01L9/04(2006.01) 分类 测量；测试;
发明人 赵玉龙;赵立波;袁展荣 申请（专利权）人 西安维纳信息测控有限公司
代理机构 西安慈源有限责任专利事务所 代理人 潘宪曾
地址 710054陕西省西安市雁翔路99号博源大厦B402
法律状态 -

摘要

摘要 SOI全硅结构充硅油耐高温压力传感器，包括一配置有空腔的基座4，基座4空腔上依次配置有波纹膜片7和压环5，电极1通过玻璃绝缘子2与基座4相固接，基座4空腔内还配置一(100)晶面的全硅SOI压力芯片9，全硅SOI压力芯片9在真空环境下与PYREX7740玻璃6通过静电键合封接在一起，基座4空腔中充填有高温硅油13，全硅SOI压力芯片9上的压焊块与电极1之间通过超声热压焊用金丝8连接，解决了高温环境下测量大量程压力的难题，同时具有动态特性好、耐高温(≥200℃)、精度高、量程大(60～150MPa)、微型化、工作安全可靠、适应性强的特点。