一种Bypass开关偏置电压产生电路
基本信息
| 申请号 | CN202210259807.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114721455A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114721455A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | G05F1/56（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 项勇;戈泽宇;陈浪;陈力生 | 申请（专利权）人 | 苏州悉芯射频微电子有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215301江苏省苏州市昆山市昆山开发区庆丰西路669号2号房中天大厦智谷创意产业园A区4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种Bypass开关偏置电压产生电路。其中第一增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第二增强型FET晶体管栅极相连，第一增强型FET晶体管的源极接地，漏极与第二电阻相连。第二增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第一增强型FET晶体管的栅极相连，漏极与自身栅极相连，源极与第三电阻相连。第一电阻上端与电源电压VDD相连，下端与偏置电压相连。第二电阻上端与第三电阻和偏置电压相连，下端与第一增强型FET晶体管的漏极相连。第三电阻的下端与第二电阻相连，上端与第二增强型FET晶体管的源极相连。控制电压Vctrl控制第一增强型FET晶体管的通断，第二增强型FET晶体管和第三电阻组成单向电压跟随器。 |
