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一种基于耦合器结构的毫米波开关及设计方法

基本信息

申请号	CN202210069402.1	申请日	-
公开（公告）号	CN114400423A	公开（公告）日	2022-04-26
申请公布号	CN114400423A	申请公布日	2022-04-26
分类号	H01P1/10（2006.01）I;H01P1/15（2006.01）I;H01P11/00（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	戈泽宇;陈浪;项勇;陈力生	申请（专利权）人	苏州悉芯射频微电子有限公司
代理机构	沈阳铭扬联创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈芳
地址	215301江苏省苏州市昆山开发区庆丰西路669号2号房中天大厦智谷创意产业园A区4层
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种基于耦合器结构的毫米波开关及设计方法，包括第一类SPST由第一耦合器和L‑nMOS开关组成，第一端口与L‑nMOS开关相连并接地，第二端口与ANT端相连，第三端口接地，第四端口与TX端相连。第一类对称式SPDT由两个第一类SPST对称构成，传输时P1dB高，第二类SPST包括第二耦合器和L‑nMOS开关，第一端口悬空，第二端口与ANT端相连，第三端口与L‑nMOS开关相连并接地，第四端口与TX端相连。第二类对称式SPDT由两个第二类SPST对称构成，隔离时功率承受能力高，隔离时可实现宽带设计，第三类非对称式SPDT由第一类SPST和第二类SPST构成，利用第一类SPST作为Tx以提高发射功率容量，利用第二类SPST作为Rx以提供高隔离的功率承受能力。