电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置
基本信息
申请号 | CN201310596935.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104649276B | 公开(公告)日 | 2018-09-25 |
申请公布号 | CN104649276B | 申请公布日 | 2018-09-25 |
分类号 | C01B33/037 | 分类 | 无机化学; |
发明人 | 姜大川;王登科;郭校亮;安广野;谭毅 | 申请(专利权)人 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 266000 山东省青岛市即墨市普东镇营普路46号太阳能产业基地 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于多晶硅提纯领域,具体涉及一种电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置,打破了传统的电子束熔炼模式,不在熔炼坩埚内进行电子束熔炼,而是借用导流槽进行电子束除氧熔炼,由于硅液能够在导流区域内铺散,比表面积增大,因此电子束熔炼除氧效果更好。本发明的优点在于:(1)提出了电子束除氧的工艺方法和用途,解决了多晶硅中杂质氧去除的难题,氧含量可以降低于0.0571ppmw以下,满足太阳能电池对多晶硅铸锭含氧量的要求;(2)多晶硅料高效带状除氧技术可增大硅液表面积30%以上,缩短除氧时间20%以上;(3)可实现连续化生产,提高生产效率35%以上。 |
