利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的方法和装置
基本信息
| 申请号 | CN201610955147.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106525862A | 公开（公告）日 | 2017-03-22 |
| 申请公布号 | CN106525862A | 申请公布日 | 2017-03-22 |
| 分类号 | G01N21/88(2006.01)I;G01N21/3581(2014.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张振伟;张存林 | 申请（专利权）人 | 北京远大恒通科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 首都师范大学;北京远大恒通科技发展有限公司 |
| 地址 | 100037 北京市海淀区西三环北路105号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置和一种利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的方法，该装置和方法用于在不损坏层状绝缘材料的情况下对其内部的缺陷进行检测。利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置包括：太赫兹发射源、两个透镜、太赫兹探测器、二维扫描装置和成像处理装置，太赫兹发射源用于发射连续调频太赫兹波，两个透镜用于将太赫兹发射源发射的太赫兹波会聚至待测样品的表面，在待测样品表面反射后的太赫兹波再次经过两个透镜后由太赫兹探测器接收并与其内部的本振信号混频后得到一中频信号，二维扫描装置控制太赫兹发射源在距离待测样品表面的一设定距离处对待测样品的表面进行扫描。 |
