三电平单元的动态随机存取存储器及其读取方法
基本信息
| 申请号 | CN201610665877.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106409328B | 公开（公告）日 | 2018-05-18 |
| 申请公布号 | CN106409328B | 申请公布日 | 2018-05-18 |
| 分类号 | G11C11/409;G11C7/06 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 刘波 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨星忆存储科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李丙林;曹桓 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技中二路软件园二期10栋702C室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种三电平单元的动态随机存取存储器及其读取方法。三电平单元的动态随机存取存储器(DRAM)将三种电压电平(0，VDD/2，VDD)储存在多个存储单元上。选定的存储单元连接到位线(BLT)以产生信号电压，相邻的参考位线(BLR)产生VDD/2参考电压。使用一种不对称灵敏放大器(ASA)判断信号电压和参考电压的不同和相同，该放大器具有正偏移电压和负偏移电压。ASA的控制信号A和B在不同的时间点进行切换、或在不同的电压电平进行切换或者二者的结合，以将偏移电压设置在正或负极性。可以从同一个ASA连续读取两次或者从两个ASA进行一次单独读取，以读取存储单元数据到本地IO。ASA的输出将用于将电压恢复到访问的存储单元。 |
