具有散热结构的传感器芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110493093.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113284865A | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN113284865A | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏卫国;周刚;李昆 | 申请（专利权）人 | 无锡必创传感科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟旸;王丽琴 |
| 地址 | 214024江苏省无锡市南湖大道飞宏路58号四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有散热结构的传感器芯片及其制造方法，该传感器芯片包括：传感器芯片基体，其中含有应变电阻区；高导热结构层，覆盖于应变电阻区所对应位置的传感器芯片基体表面。本发明中，高导热结构层与应变电阻区之间在结构上相层叠，在传感器芯片工作时，电流通过应变电阻区使得应变电阻区所产生的热量能够透过高导热结构层和应变电阻区之间的层间介质层而传导至高导热结构层，高导热结构层利用其高导热材料的性能和其中所设计的凸台阵列结构所增加的表面积，加快了热量通过散热窗口向外的散发，从而实现了对应变电阻区的有效散热，本发明能够有效地降低传感器芯片的热阻，增强了传感器芯片的热稳定性。 |
