一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810150564.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108376713B | 公开（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申请公布号 | CN108376713B | 申请公布日 | 2021-01-15 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王振海 | 申请（专利权）人 | 汇佳网（天津）科技有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 王振海;汇佳网（天津）科技有限公司 |
| 地址 | 300110 天津市南开区卫津路与万德庄大街交口西南侧新都大厦1-1-505-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。PN交替超结区由P+层与N+层横向间隔交替排列，N+区的中央区内部横向设置有由超结P型柱组成的超结P型柱阵列组。该技术方案缓解了现有技术存在的导通电阻大、饱和电流低的技术问题，有效保证了半导体器件的耐压性能，提高了半导体器件的饱和电流，减小了器件的导通电阻，充分发挥了超结结构的优势，有效利用器件面积，降低了器件的生产成本，改善半导体器件的导通性能。 |
