基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201721907549.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207676911U | 公开（公告）日 | 2018-07-31 |
| 申请公布号 | CN207676911U | 申请公布日 | 2018-07-31 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈江钗;吴泽文;龚奎 | 申请（专利权）人 | 鸿之微科技（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 鸿之微科技（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 201206 上海市浦东新区新金桥路1888号11号楼204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件，公开了一种基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管。在本实用新型的场效应晶体管中，弯曲的碳纳米管从源极穿过沟道区延伸到漏极，基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管可以将场效应晶体管的尺寸做到几个纳米级别，并且在电子输运方面保持良好的性能。 |
