非易失性存储器件
基本信息
| 申请号 | CN201721907551.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207676907U | 公开（公告）日 | 2018-07-31 |
| 申请公布号 | CN207676907U | 申请公布日 | 2018-07-31 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L29/417 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 袁明星;王音;龚奎 | 申请（专利权）人 | 鸿之微科技（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 鸿之微科技（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 201206 上海市浦东新区新金桥路1888号11号楼204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件，公开了一种非易失性存储器件。在本实用新型的非易失性存储器件中，源极、漏极的二维材料为锯齿构型，源极和漏极之间的散射区的二维材料施加应变后在锯齿构型与扶椅构型之间变化，透射系数相差很大，使得该非易失性存储器件能够在开/关两种状态间切换，并且切换时间较短，从而成为新型非易失性存储器件。 |
