用于清洗半导体晶片的方法和设备

基本信息

申请号 CN201810682458.8 申请日 -
公开(公告)号 CN110416060B 公开(公告)日 2021-07-20
申请公布号 CN110416060B 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01L21/02;H01L21/67 分类 基本电气元件;
发明人 陈福平;张晓燕;王晖 申请(专利权)人 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 王茂华;张宁
地址 201203 上海市自由贸易试验区中国(上海)蔡伦路1690号第4幢
法律状态 -

摘要

摘要 本公开的实施例涉及一种用于对工艺中晶片进行清洗的方法和设备。该方法包括使工艺中晶片旋转,使功能水施加至旋转的工艺中晶片的表面,以在旋转的工艺中晶片上产生流动的功能水膜,使得工艺中晶片的表面由超声波装置清洗第一时段,引起超声波装置升起和/或增加旋转的工艺中晶片的旋转速度以使超声波装置与流动的功能水膜分离,在超将声波器件从功能水膜分离并使晶片表面干燥之后将功能水施加至旋转的晶片的表面达第二时段。