一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块
基本信息
| 申请号 | CN201921967609.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211063335U | 公开（公告）日 | 2020-07-21 |
| 申请公布号 | CN211063335U | 申请公布日 | 2020-07-21 |
| 分类号 | H02H9/04(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 周成龙;张梓超;陈晓薇;薛峰;郭艳辉;刘强;赵少琼;赵炜铭;李子森;苏醒;党丽 | 申请（专利权）人 | 中国兵器工业新技术推广研究所 |
| 代理机构 | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人 | 王雪芬 |
| 地址 | 100089北京市海淀区车道沟10号院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块，属于机载电子设备技术领域。本实用新型基于多个NMOS管并联，设计了一种电路原理简单、可靠性高、结构紧凑、导通电流30A的大功率浪涌抑制模块，其中通过在每个NOMS场效应管的栅极端串接一个5.1Ω电阻(电阻R1、R2、R3)，消除了三个NOMS场效应管的器件参数差异的多场效应管并联防振荡电路设计方案，整个电路原理简单，易于实现，产品可靠性高，浪涌抑制模块的通流量大，达到30A通流量；浪涌抑制模块导通内阻低，发热量小，电压降小。 |
