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一种纳米线气体传感器及其制造方法

基本信息

申请号 CN201910942212.4 申请日 -
公开（公告）号 CN110618182A 公开（公告）日 2019-12-27
申请公布号 CN110618182A 申请公布日 2019-12-27
分类号 G01N27/407（2006.01）; B82Y15/00（2011.01） 分类 测量；测试;
发明人 黄辉; 赵丹娜; 尚瑞晨; 段海波; 吴海宁 申请（专利权）人 深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人 深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
地址 518000 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园C3栋22楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于电子技术领域，公开了一种纳米线气体传感器及其制造方法，纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线，多根纳米线设置在衬底的上表面，每个纳米线的两端均设置有电极，多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层；通过单根纳米线(或有限根数的纳米线)形成独立纳米线器件，从而形成纳米线器件阵列。通过多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层，使得不同的纳米线器件具备不同的气体响应特性，从而实现气体成分识别。