一种三维相变存储器的制备方法及三维相变存储器
基本信息
| 申请号 | CN202110390849.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517311A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517311A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L27/24（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘峻;杨红心;田宝毅;高王荣 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘恋;张颖玲 |
| 地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种三维相变存储器的制备方法，包括：提供半导体结构；采用一道刻蚀工艺，在所述半导体结构上形成第一接触件沟槽和第一对准标记沟槽；生长相变存储堆叠材料层，形成位于所述第一接触件沟槽中的第一接触件和位于所述第一对准标记沟槽上方的凹陷，所述凹陷为第一对准标记。 |
