一种硬掩膜叠层结构及半导体器件的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202110460771.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517181A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517181A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L21/033（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 唐平;刘峻;鞠韶复;李喆;田宝毅 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高天华;张颖玲 |
| 地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种硬掩膜叠层结构，用于自对准四重构图工艺，其特征在于，所述硬掩膜叠层结构包括：层叠设置的第一硬掩膜层、第一核心层和第二核心层，所述第一核心层位于所述第一硬掩膜层和所述第二核心层之间；其中，所述第一硬掩膜层包括无定形碳层，所述第一核心层和所述第二核心层均包括旋涂的含碳材料层。 |
