三维存储器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110454675.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517313A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517313A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L27/24（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱照远;林天瑞;刘峻 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李路遥;张颖玲 |
| 地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种三维存储器及其制造方法，所述方法包括：提供多个存储单元，所述多个存储单元之间形成有沟槽；所述沟槽的深宽比大于预设值；在所述沟槽内沉积第一绝缘材料，形成第一绝缘层；对所述第一绝缘层进行第一刻蚀，以使形成有第一绝缘层的沟槽的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸；在所述形成有第一绝缘层的沟槽内沉积第二绝缘材料，形成第二绝缘层。 |
