一种相变存储器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110413561.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517396A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517396A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘广宇;刘峻;杨海波;彭文林;匡睿;付志成 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高洁;张颖玲 |
| 地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种相变存储器及其制造方法，所述相变存储器包括：由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和第二导电线均垂直；所述相变存储单元包括层叠设置的选通层和相变存储层；所述相变存储层包括多层相变材料层和位于所述相变材料层之间的导热材料层。 |
