三维相变存储器器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202180001588.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113454786A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113454786A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L27/24（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘峻 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种三维（3D）存储器器件包括：多条位线，多条位线横向延伸；公共板，公共板横向延伸；多条字线，多条字线横向延伸并且设置在多条位线与公共板之间；以及多个存储器单元，每个存储器单元设置在多条位线中的一条相应的位线与多条字线中的一条相应的字线的相交处。多个存储器单元中的每一个包括：PCM结构，PCM结构位于相应的字线与公共板之间；以及选择器，选择器垂直延伸穿过相应的字线并且设置在PCM结构与相应的位线之间。 |
