一种半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110360005.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517310A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517310A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L27/24（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张恒;刘峻;黄诗琪;彭首春;雷威锋 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李路遥;张颖玲 |
| 地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括第一地址线和存储堆叠单元；所述第一堆叠结构包括沿第二方向交替设置的第一间隙和第一功能结构以及沿第二方向交替设置的第一间隙和第一非功能结构；所述第一非功能结构作为所述半导体器件的冗余结构；所述第一非功能结构中的部分被去除；填充层，设置于所述第一间隙中。 |
