三维存储器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110402635.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517312A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517312A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L27/24（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘峻 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘鹤;张颖玲 |
| 地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种三维存储器及其制作方法，所述三维存储器包括：至少一个存储单元阵列块；所述存储单元阵列块至少包括：层叠设置的第一地址线层、多个第一相变存储单元以及第二地址线层；其中，第一地址线层与第二地址线层平行；所述第一地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第一地址线；所述第二地址线层包括多条均沿第二方向延伸的第二地址线；所述第一方向与第二方向垂直；所述第一相变存储单元与所述第一地址线和第二地址线均垂直；所述第一地址线沿第一方向的长度与所述第二地址线沿第二方向的长度基本相同，且所述第一地址线的电阻与所述第二地址线的电阻基本相同。 |
