相变存储器的制备方法、制备的控制方法以及相变存储器
基本信息
| 申请号 | CN202110405089.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517395A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517395A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 骆金龙 | 申请（专利权）人 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张李静;张颖玲 |
| 地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开实施例公开了一种相变存储器的制备方法、制备的控制方法以及相变存储器。所述相变存储器的制备方法包括：形成覆盖基底表面的第n个第一导电材料层；其中，n为自然数；形成覆盖第n个所述第一导电材料层的第n个第二导电材料层；在形成第n个所述第二导电材料层的同时，第n个所述第二导电材料层的组成粒子轰击第n个所述第一导电材料层，以使至少部分第n个所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内并形成粘接层；其中，所述第一导电材料层与所述第二导电材料层的组成粒子相同；形成覆盖所述第二导电材料层的相变存储单元；其中，所述粘接层，用于增大所述第二导电材料层与所述基底之间的附着力。 |
