一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法

基本信息

申请号 CN201910969938.7 申请日 -
公开(公告)号 CN110845239A 公开(公告)日 2020-02-28
申请公布号 CN110845239A 申请公布日 2020-02-28
分类号 C04B35/577;C04B35/626;C04B35/622;C04B38/08;B01D39/20;B01J20/02;B01J20/28;B01J20/30;B01J32/00 分类 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
发明人 孙卫康;李嘉帅;赵东萍;茹红强;李庆春;汤志强;王春华 申请(专利权)人 深圳市东陶新材料有限公司
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 代理人 李江
地址 261200 山东省潍坊市坊子区崇文街山东测绘地理信息产业园10号楼4楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,属多孔陶瓷材料制备领域,所述方法包括离子渗碳处理、混合、模压成型;采用空心SiO2微珠为原料,经渗碳处理得空心SiC微珠,壳壁表面生成纳米级的穿孔;其中渗碳热处理的温度为720‑980℃,升温速率为5‑20℃/min,保温时间5‑30min;混合中,SiC微珠、SiO2粉、Al2O3粉的质量比为(90‑98):(2‑6):(1‑5);本发明不添加任何造孔剂、发泡剂或使用冷冻干燥工艺,得到具有极高的孔隙率,孔径结构均匀且有纳米尺寸的二级穿孔的多孔SiC材料,极大地提高了过滤、吸附性能,作为催化剂载体能显著提升催化效能,具有非常大的工业实用价值。