一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法
基本信息
申请号 | CN201910969950.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110655407A | 公开(公告)日 | 2020-01-07 |
申请公布号 | CN110655407A | 申请公布日 | 2020-01-07 |
分类号 | C04B35/577(2006.01); C04B35/58(2006.01); C04B35/622(2006.01); C04B35/65(2006.01) | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 茹红强; 孙卫康; 汤志强; 李庆春; 王春华 | 申请(专利权)人 | 深圳市东陶新材料有限公司 |
代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人 | 李江 |
地址 | 261200 山东省潍坊市坊子区崇文街山东测绘地理信息产业园10号楼4楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种电阻可控的碳化硅陶瓷及其制备方法,属导电陶瓷材料领域。电阻可控碳化硅陶瓷原料包括:SiC粉、B4C粉、钛源、碳源、TiB2粉,质量比为(40‑80):(8‑30):(20‑70):(15‑60):(25‑55);本发明还提供了其制备方法,包括配料、过筛造粒、模压成型、干燥、烧结;本发明在SiC原料中直接或间接引入TiB2高导电陶瓷成分,使制得的SiC复合陶瓷材料具有电阻可控、抗氧化、硬度高、耐磨损、高热传导率、低热膨胀系数、抗蠕变等性能,在电子信息穿戴产品、工业废水电催化氧化处理、燃料电池电极、高铁受电弓等领域具有非常大的实用前景。本发明具有工艺简单、设备要求度低、生产成本低、便于批量化生产的优点。 |
