一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910969135.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110845242A | 公开（公告）日 | 2020-02-28 |
| 申请公布号 | CN110845242A | 申请公布日 | 2020-02-28 |
| 分类号 | C04B35/584;C04B35/622;C04B38/08 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 孙卫康;汤志强;李庆春;赵东萍;茹红强;王春华 | 申请（专利权）人 | 深圳市东陶新材料有限公司 |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人 | 李江 |
| 地址 | 261200 山东省潍坊市坊子区崇文街山东测绘地理信息产业园10号楼4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，属多孔氮化硅陶瓷材料领域，采用空心二氧化硅微珠作为反应原料，经离子渗碳氮处理后获得产物空心氮化硅微珠，且壳壁表面生成纳米级的穿孔；其中真空离子碳氮共渗热处理的温度为680‑950℃，升温速率为5‑20℃/min，保温时间5‑30min，采用的碳源与氮源的质量配比为1:(8‑15)，混合气源的气压为120‑1100Pa；以此产物为原料，仅需添加少量烧结助剂，就可以获得具有极高的孔隙率、孔径结构均匀且有纳米尺寸的二级穿孔的多孔氮化硅材料，极大地提高了材料的过滤吸附、载体催化性能，而且优化介电常数和介电损耗，展现出优异的高频电磁波透过性能。 |
