校正网络用低温压合微波基板
基本信息
| 申请号 | CN201620564789.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205847723U | 公开（公告）日 | 2016-12-28 |
| 申请公布号 | CN205847723U | 申请公布日 | 2016-12-28 |
| 分类号 | H05K1/03(2006.01)I;B32B17/02(2006.01)I;B32B17/10(2006.01)I;B32B27/12(2006.01)I;B32B15/082(2006.01)I;B32B27/08(2006.01)I;B32B15/20(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 刘庆辉;魏静 | 申请（专利权）人 | 珠海国能复合材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王昕 |
| 地址 | 519060 广东省珠海市洪湾工业区洪湾路10号华网通信大厦一楼A区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种校正网络用低温压合微波基板，包括：玻纤布；两层PTFE薄膜，两层PTFE薄膜分别固定在所述玻纤布的两侧面上；以及两层反转铜箔，两层反转铜箔分别通过FEP膜固定在两层所述PTFE薄膜与所述玻纤布背对的侧面上。本实用新型提供的校正网络用低温压合微波基板，反转铜箔与PTFE薄膜通过FEP膜进行粘附，FEP具有与PTFE相似的特性，而FEP的结晶熔化点为304℃，通过实验验证反转铜箔与PTFE之间可在320摄氏度左右通过高压起到粘附作用，从而将原本的380℃以上的压合温度调整至320℃左右，实现了原材料的低损耗性能最大保留，最终实现了满足客户对此项产品性能要求。 |
