一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备

基本信息

申请号	CN201110220767.1	申请日	-
公开（公告）号	CN102408112A	公开（公告）日	2012-04-11
申请公布号	CN102408112A	申请公布日	2012-04-11
分类号	C01B33/037(2006.01)I	分类	无机化学;
发明人	谭毅;刘应宽;盛之林;李佳艳;石爽;刘振远;董伟;姜大川	申请（专利权）人	宁夏宁电光伏材料有限公司
代理机构	大连星海专利事务所	代理人	于忠晶
地址	116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
法律状态	-

摘要

本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法，第一步备料及预处理；第二步形成高纯硅衬底：然后开启电子束束流为200-500mA完全熔化高纯硅料，缓慢降低束流为零，即在水冷坩埚中形成高纯多晶硅锭，调节电子束束流为150-300mA熔化高纯多晶硅锭，2-5min后形成一层高纯硅衬底；第三步熔炼提纯：高磷硅料连续缓慢落入熔池中，加大束流至300-700mA，高磷硅料熔化后形成高磷硅液，杂质磷得到去除后从导流口流入坩埚之中，得到低磷硅液，凝固后得到低磷的多晶硅锭。本发明方法提纯效果好，工艺简单，节约能源，降低污染，适合批量生产，设备结构简单，构思独特，操作简单，成本低，可实现连续熔炼。