超低导通电阻分离栅MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202020289948.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211295111U | 公开（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申请公布号 | CN211295111U | 申请公布日 | 2020-08-18 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘锋;殷允超;刘秀梅 | 申请（专利权）人 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 地址 | 226200江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及超低导通电阻分离栅MOSFET器件，在N外延层内设有包围沟槽的Al4Si合金晶粒层，在沟槽的下段槽体内设有场氧层，在场氧层内设有屏蔽栅导电多晶硅，在沟槽的上段槽体内设有栅极导电多晶硅与栅氧层，栅极导电多晶硅位于栅氧层内；在介质层、N+源区与P阱区上开设有接触孔，接触孔从介质层的上表面向下穿透介质层、N+源区并最后进入P阱区内，在接触孔内设有接触条，接触条的上端部与发射极金属相连，接触条与N+源区以及P阱区欧姆接触，且接触条的宽度自上而下逐渐缩小。本实用新型结构简单，本实用新型提供的器件在正向导通时可以大大降低导通电阻；本实用新型的制造方法步骤较少且简单易行。 |
