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一种超结MOSFET器件结构及制造方法

基本信息

申请号	CN202011602643.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112635549A	公开（公告）日	2021-04-09
申请公布号	CN112635549A	申请公布日	2021-04-09
分类号	H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	刘秀梅;殷允超;刘锋	申请（专利权）人	江苏捷捷微电子股份有限公司
代理机构	北京科家知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	宫建华
地址	226200 江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种超结MOSFET器件结构及制造方法，在半导体基板第一主面上设置若干单元尺寸为W的器件元胞，在第一导电类型外延层内设置若干呈阵列排布的超结阵列，且超结阵列中第一N型柱n1、第二N型柱n2、第一P型柱p1、第二P型柱p2的宽度均相同为d，第一N型柱n1和第一P型柱p1的长度相同为L1，第二N型柱n2和第二P型柱p2的长度相同为L2，且L1>L2，L1+L2＝W，2d≤W；本发明通过多次外延工艺方法，改变超结的结构，打破超结结构尺寸与表面MOS结构尺寸之间矛盾，在不增加现有工艺难度和制造成本的前提下，完成了超结结构单元的小尺寸化，不仅提高了器件耐压能力，而且降低了导通电阻，进而降低了超结器件的导通损耗。