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一种高静电防护能力的沟槽MOSFET器件

基本信息

申请号	CN202011602651.X	申请日	-
公开（公告）号	CN112802837A	公开（公告）日	2021-05-14
申请公布号	CN112802837A	申请公布日	2021-05-14
分类号	H01L27/02;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	刘锋;周祥瑞;殷允超	申请（专利权）人	江苏捷捷微电子股份有限公司
代理机构	北京科家知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	宫建华
地址	226200 江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种高静电防护能力的沟槽MOSFET器件，包括有源区、栅电极区及环绕有源区和栅电极区的终端保护区，栅电极区包括ESD静电保护区，ESD静电保护区连续环绕设置在栅电极区的边缘；ESD静电保护区包括第一导电类型漂移区、位于第一导电类型漂移区下方且邻接的第一导电类型衬底及位于第一导电类型漂移区内的第二导电类型阱区，第二导电类型阱区上方设有绝缘氧化层，在绝缘介质层上设有连续螺旋环绕的PN结组，连续螺旋环绕的PN结组设于栅极金属和源极金属之间；本发明通过在栅电极区设置ESD静电防护结构，且ESD防护结构采用连续环绕设置的PN结组，这样能加长栅极和源极间的PN结组的长度，进而可大大增加沟槽MOSFET的ESD防护能力，提升器件的可靠性。