首页/ 江苏捷捷微电子股份有限公司/ 专利详情

一种沟槽MOSFET器件的终端结构及制造方法

基本信息

申请号 CN202011598537.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112635548A 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112635548A 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 刘锋;周祥瑞;刘秀梅 申请（专利权）人 江苏捷捷微电子股份有限公司
代理机构 北京科家知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 宫建华
地址 226200 江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种沟槽MOSFET器件的终端结构，包括终端保护区，终端保护区包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，其特征在于，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有与元胞区邻接的过渡区沟槽、位于终端保护区边缘的截止沟槽，过渡区沟槽和截止沟槽间设有缓变结第二导电类型阱区，缓变结第二导电类型阱区上覆盖有绝缘介质，绝缘介质上覆盖有源极金属，源极金属穿过绝缘介质与缓变结第二导电类型阱区欧姆接触；本发明通过改进终端结构，采用缓变结第二导电类型阱区来进行分压，不仅能提高器件的耐压能力，且能减小终端的宽度，增大有源区的面积，进而降低器件导通电阻，提升了整个器件的可靠性。