一种单向可控硅芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110363301.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113097299A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113097299A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L29/74（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/332（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王成森;钱清友;张思洁 | 申请（专利权）人 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 荣颖佳 |
| 地址 | 226200江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供本发明公开了一种单向可控硅芯片及其制造方法，芯片包括盆形阴极区、阳极区、长基区、盆形短基区、环形门极、阳极、阴极、表面钝化膜，制造方法包括以下步骤：硅单晶片选择；硅片抛光；氧化；双面光刻阴极区对通隔离窗口；磷予沉积；双面光刻短基区对通窗口；离子注入铝；去胶；对通扩散；光刻正面阳极区窗口和背面短基区窗口；双面离子注入硼；双面推结；去除背面氧化层；背面阴极区扩散；光刻引线孔；正面蒸镀铝膜；反刻铝电极：用反刻版进行光刻；合金；背面喷砂；背面蒸镀电极；芯片测试；锯片；包装。本发明具有器件底板直接安装在散热器上并接地，且具有低热阻的优点；同时克服了封装过程中底部焊料与短基区短路的风险。 |
