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一种倒装GaN功率器件封装结构及其制备方法

基本信息

申请号 2020113811236 申请日 -
公开（公告）号 CN112289752A 公开（公告）日 2021-01-29
申请公布号 CN112289752A 申请公布日 2021-01-29
分类号 H01L23/14(2006.01)I; 分类 基本电气元件;
发明人 王其龙;徐洋;施嘉颖;杨凯锋;顾红霞 申请（专利权）人 江苏捷捷微电子股份有限公司
代理机构 南京正联知识产权代理有限公司 代理人 卢海洋
地址 226200江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种倒装GaN功率器件封装结构，包括陶瓷基板，陶瓷基板表面下沉有开槽，开槽的槽体形状呈倒“凹”型，开槽槽体底部和陶瓷基板背部覆有铜层，倒”凹”型槽体的上部中间涂覆有绝缘漆，绝缘漆层的长边两侧和正面铜层之间开有V槽，倒”凹”形槽体的下部和长边一侧正面铜层各点上焊锡膏，V槽外侧正面铜层上，远离绝缘漆的一侧通过焊锡膏倒装贴附有芯片，倒”凹”型槽体的下部通过焊锡膏和引线框架脚架焊接区进行焊接。保证芯片在倒扣的状态下安全焊接，对引线框架有定位作用，保证框架在焊接过程中不会出现滑移现象。