半导体处理装置
基本信息
申请号 | CN202123013544.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN216793620U | 公开(公告)日 | 2022-06-21 |
申请公布号 | CN216793620U | 申请公布日 | 2022-06-21 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 温子瑛 | 申请(专利权)人 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
代理机构 | 苏州简理知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 214000江苏省无锡市新区震泽路18号国家软件园3期鲸鱼座A栋1楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型提供了一种半导体处理装置,其包括:第一腔室部;可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部,其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时,第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室,半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内,在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时,所述半导体晶圆能够被取出或放入;第一腔室部和第二腔室部中的至少一个包括主体部以及嵌入部,所述主体部的面向所述微腔室的表面上形成有嵌合槽,所述嵌入部嵌入所述嵌合槽内与所述主体部形成一个整体。这样,所述嵌入部由于加工温度和工作温度的不同而导致的变形误差会被大幅度的减小,从而提高半导体处理装置的精度。 |
