半导体处理装置、半导体处理系统
基本信息
| 申请号 | CN202122229939.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216389314U | 公开（公告）日 | 2022-04-26 |
| 申请公布号 | CN216389314U | 申请公布日 | 2022-04-26 |
| 分类号 | H01L21/687（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/68（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温子瑛 | 申请（专利权）人 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 苏州简理知识产权代理有限公司 | 代理人 | 庞聪雅 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新区震泽路18号国家软件园3期鲸鱼座A栋1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种半导体处理装置，其包括含具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室，具有第二支撑区的上腔室以及第一支撑区、第二支撑区及其边缘区域形成的第一通道。上腔室与下腔室闭合，使得晶圆被放置在第一支撑区和第二支撑区之间。第一通道提供第一空间来流动一种或多种化学流体用于腐蚀晶圆边缘区域。上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圆的边缘外端并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐。本实用新型能够实现对半导体晶圆外缘的处理。 |
