一种Ag-Cu薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610638112.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106435542B | 公开（公告）日 | 2019-04-16 |
| 申请公布号 | CN106435542B | 申请公布日 | 2019-04-16 |
| 分类号 | C23C18/44（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴小平; 李小云; 王顺利; 史建军; 金立; 杨欧 | 申请（专利权）人 | 天津鼎晟科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 浙江理工大学;天津鼎晟科技发展有限公司;菏泽华意化工有限公司 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种Ag‑Cu薄膜的制备方法，包括以下制备步骤：处理Cu片，准备高纯Cu片；配置含有一定量的SDS的硫酸铜溶液，并将处理后的Cu片插入上述溶液中；加热至40‑60℃，保持3‑6小时，取出，即形成Cu2O‑Cu片；将上述Cu2O‑Cu片插入一定浓度的柠檬酸钠溶液中；加入一定量的AgNO3溶液，室温搅拌；再快速加入一定量的氨水，继续搅拌一定时间，取出样品。本发明的原料廉价易得，合成工艺简单，成本低，反应周期短，反应便于控制，制备的样品均匀，Ag薄膜牢固，不易脱落，且其表面也生成片状结构，且热点较多，利于表面拉曼增强，利于循环利用，也利于制成器件，且对环境无污染。 |
