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一种提高硅电容压力传感器过载能力的方法

基本信息

申请号	CN200910010195.7	申请日	-
公开（公告）号	CN101476960B	公开（公告）日	2010-08-18
申请公布号	CN101476960B	申请公布日	2010-08-18
分类号	G01L9/12(2006.01)I;G01L1/14(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	张治国;李颖;张娜;匡石;刘剑	申请（专利权）人	浙江中感传感器科技有限公司
代理机构	沈阳科威专利代理有限责任公司	代理人	沈阳仪表科学研究院;浙江中感传感器科技有限公司;沈阳仪表科学研究院有限公司
地址	110043 辽宁省沈阳市大东区北海街242号
法律状态	-

摘要

一种提高硅电容压力传感器过载能力的方法，采用阳极键合工艺，其特征在于玻璃的上固定极板(1)、玻璃的下固定极板(3)相对内侧腐蚀区预留出限位点(8)，硅中心极板(2)的可动电极(6)与限位点(8)之间有金属电极(9)；在传感器的量程工作范围内，可动电极(6)不会碰到限位点(8)，当外加工作压力超过正常量程后，可动电极(6)由于位移加大，会与限位点(8)接触，此时存在于所述各极板之间的两电容C1、C1发生相应的变化，实现对外加压力的测量；如果外加压力再增加，则可动电极(6)被限位点(8)抵住而不再移动，实现了对可动电极(6)的过载限位保护。本发明既保证了过载时传感器不被压力损坏，同时又满足调整灵敏度和过载限位保护的矛盾要求。