硅电容压力传感器提高过载能力的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

硅电容压力传感器提高过载能力的方法

基本信息

申请号	CN200910010195.7	申请日	-
公开（公告）号	CN101476960A	公开（公告）日	2009-07-08
申请公布号	CN101476960A	申请公布日	2009-07-08
分类号	G01L9/12(2006.01)I;G01L1/14(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	张治国;李颖;张娜;匡石;刘剑	申请（专利权）人	浙江中感传感器科技有限公司
代理机构	沈阳科威专利代理有限责任公司	代理人	沈阳仪表科学研究院;浙江中感传感器科技有限公司;沈阳仪表科学研究院有限公司
地址	110043辽宁省沈阳市大东区北海街242号
法律状态	-

摘要

提高硅电容压力传感器过载能力的方法，采用阳极键合工艺将三块板组装而成，其特征在于上、下固定极板上均有限位点，通过位于两固定极板中间的硅中心极板的可动电极实现过载限位；两玻璃的上固定极板(13)、下固定极板相对内侧腐蚀区预留出限位点(8)，可动极板(6)与限位点(8)端面之间有间隙；在传感器的量程工作范围内，可动极板(6)不会碰到限位点(8)，当外加工作压力超过正常量程后，中心可动极板(6)由于位移加大，会与限位点(8)接触，此时存在于中心可动极板和固定上、下极板之间的两个电容发生相应的变化，通过外部电路检测出两电容的这种变化，实现对外加压力的测量；如果外加压力再增加，则可动极板(6)由于被限位点(8)抵住而不再发生移动，因限位点(8)的存在实现了对可动极板(6)的过载限位保护。本发明采用下极板中的限位点限制电容极板中的可动极板位移量的办法，保证了过载时传感器不被压力损坏，同时满足调整灵敏度和过载限位保护的矛盾要求。