一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN202022882700.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213895992U | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN213895992U | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 朱颖晖;祝晓钊;王艳华;冯敏强;廖良生 | 申请（专利权）人 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 胡彬 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道1198号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置。其中，所述原子层沉积腔室包括腔体，腔体的顶部设置有进气口，腔体的侧壁上设置有至少两个容纳槽，容纳槽用于容置工件，且工件的成膜区外露于腔体中，能够单次实现至少两个工件沉积，且避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。所述原子层沉积装置通过应用上述原子层沉积腔室，能够单次实现多个工件沉积，避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。 |
