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MOSFET驱动保护电路和开关电源系统

基本信息

申请号	CN202111020048.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113726316A	公开（公告）日	2021-11-30
申请公布号	CN113726316A	申请公布日	2021-11-30
分类号	H03K17/081（2006.01）I;H03K17/082（2006.01）I;H02M1/32（2007.01）I;H02M3/156（2006.01）I;H02M3/158（2006.01）I;H02M1/08（2006.01）I;H02M1/088（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	刘辉;董永刚;吴丹	申请（专利权）人	深圳中科乐普医疗技术有限公司
代理机构	深圳鼎合诚知识产权代理有限公司	代理人	白雪瑾;彭家恩
地址	518000广东省深圳市南山区西丽街道阳光社区松白路1002号百旺信工业园9栋405
法律状态	-

摘要

一种MOSFET驱动保护电路和开关电源系统，所述MOSFET驱动保护电路包括电流变化率调整电路、第一过电压保护电路、第二过电压保护电路和电流采样电路，电流变化率调整电路用于限制驱动信号接入端与功率管的控制极之间的电流变化，以免功率管的控制极在过高的电流变化作用下而引起误导通；第一过电压保护电路用于限制功率管的控制极与功率管的第二极之间的电压，保护功率管不会被击穿；第二过电压保护电路用于限制功率管的第一极和功率管的第二极之间的电压，避免功率管的第一极和第二极之间出现尖峰电压而损坏功率管；电流采样电路用于获取功率管输出电流并输出至控制器，以使控制器能够对功率管的驱动信号的大小进行调整，避免功率管因过流而被烧坏。