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发光二极管芯片及其制造方法

基本信息

申请号 CN200710181149.4 申请日 -
公开（公告）号 CN101409318A 公开（公告）日 2009-04-15
申请公布号 CN101409318A 申请公布日 2009-04-15
分类号 H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杜升翰;许国君;张起豪;林昆阅 申请（专利权）人 东莞市台达能源科技有限公司
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 魏晓刚;陈小雯
地址 中国台湾桃园县
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，该发光二极管芯片包括至少第一电极、至少第二电极以及至少一发光层。发光层设置于第一电极与第二电极之间。其中，第一电极透过发光层而与第二电极电性连接，且当施加一电压差于第一电极与第二电极之间时，该发光层产生一光线。本发明的发光二极管芯片及其制造方法，工艺较简单容易。再者，本发明的发光二极管芯片结构可广泛地应用于各波段范围。另外，小面积的单颗发光二极管元件的发光效率高、散热较容易，亦可提升光电转换效率及延长使用寿命。