一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202011013819.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112234058A | 公开（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申请公布号 | CN112234058A | 申请公布日 | 2021-01-15 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L27/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪炜江 | 申请（专利权）人 | 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 北京邦创至诚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宇锋 |
| 地址 | 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼104-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括划片槽区和终端区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；其特征在于，所述栅跑道和所述源跑道之间集成了两个或多个反向串联的多晶硅pn二极管结构，作为器件的栅保护结构。本发明通过在芯片上集成栅保护器件，当器件的栅极电压超过最大允许电压时，栅保护器件发生击穿，使栅源电压钳位在最大允许的电压，保护了MOS栅介质避免承受高的电压。 |
